型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
FQD1N50TF | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 1.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak 型号:FQD1N50TF 仓库库存编号:FQD1N50TF-ND | 无铅 | 搜索 |
标准包装 : | 2,000 |
系列 : | QFET™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 500V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 1.1A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 9 欧姆 @ 550mA, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 5.5nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 150pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 2.5W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
供应商设备封装 : | D-Pak |
包装 : | 带卷 (TR) |