FQD10N20CTM_F080|Fairchild Semiconductor代理|供应FQD10N20CTM

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FQD10N20CTM_F080 库存编号:FQD10N20CTM_F080-ND	onsemi	MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK	0 起订			6-10天询价	询价查看资料

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FQD10N20CTM_F080
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ON Semiconductor

MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 7.8A 3-Pin 2+Tab

RoHS: Compliant

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型号	制造商	描述	库存	起订量	单价 (含税)	货期 (工作日)	操作
FQD10N20CTM_F080	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK	查看库存、价格及货期

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	FQD10N20CTM_F080 Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK	查价格库存查看详细

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	FQD10N20CTM_F080 Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK	查价格库存查看详细

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	Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak 型号：FQD10N20CTM_F080 仓库库存编号：FQD10N20CTM_F080-ND	无铅	搜索

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	FQD10N20CTM_F080 Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK	查价格库存查看详细

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FQD10N20CTM_F080
制造商型号： FQD10N20CTM_F080
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
技术参考：

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备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com

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详细参数

产品变化通告：	Product Discontinuation 14/Mar/2011
标准包装：	2,500
系列：	QFET™
FET 型：	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：	标准型
漏极至源极电压(Vdss) ：	200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ：	7.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ：	360 毫欧 @ 3.9A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：	4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs ：	26nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：	510pF @ 25V
功率 - 最大：	50W
安装类型：	表面贴装
封装/外壳：	TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
供应商设备封装：	D-Pak
包装：	带卷 (TR)

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