型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
FQB7P06TM | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 7A D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 7A D2PAK 详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 7A(Tc) 3.75W(Ta),45W(Tc) D2PAK(TO-263AB) 型号:FQB7P06TM 仓库库存编号:FQB7P06TM-ND | 无铅 | 搜索 |
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标准包装 : | 800 |
系列 : | QFET™ |
FET 型 : | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 7A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 410 毫欧 @ 3.5A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 8.2nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 295pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 3.75W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
供应商设备封装 : | D²PAK |
包装 : | 带卷 (TR) |