| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| FQB3P50TM | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | FQB3P50TM Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK 详细描述：表面贴装 P 沟道 500V 2.7A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） D2PAK（TO-263AB） 型号：FQB3P50TM 仓库库存编号：FQB3P50TM-ND | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 800 |
| 系列 ： | QFET™ |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 4.9 欧姆 @ 1.35A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 23nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 660pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 3.13W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 供应商设备封装 ： | D²PAK |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
