| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| FQA85N06 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P | 查看库存、价格及货期 | ||||
PDF查询| 标准包装 ： | 450 |
| 系列 ： | QFET™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 10 毫欧 @ 50A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 112nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 4120pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 214W |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商设备封装 ： | TO-3PN |
| 包装 ： | 管件 |
