| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| FQA10N60C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | FQA10N60C Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P 详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 192W（Tc） TO-3PN 型号：FQA10N60C 仓库库存编号：FQA10N60C-ND | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 30 |
| 系列 ： | QFET™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 730 毫欧 @ 5A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 57nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 2040pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 192W |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商设备封装 ： | TO-3PN |
| 包装 ： | 管件 |
