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FJN3303RBU [更多] | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/22K 22K RoHS: Compliant | 搜索 |
FJN3303RBU_Q [更多] | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/22K 22K RoHS: Not compliant | 搜索 |
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FJN3303RBU [更多] | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-92 Bulk RoHS: Compliant | 搜索 |
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FJN3303RBU [更多] | ON Semiconductor | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSIST
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FJN3303RBU | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | FJN3303RBU_Q Fairchild Semiconductor | 开关晶体管 - 偏压电阻器 50V/100mA/22K 22K![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | Fairchild/ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3 型号:FJN3303RBU 仓库库存编号:FJN3303RBU-ND | 无铅 | 搜索 |
产品变化通告 : | Fe Wire Change 12/Oct/2007 |
标准包装 : | 1,000 |
系列 : | - |
晶体管类型 : | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) : | 22K |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) : | 22K |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) : | 56 @ 5mA, 5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) : | 300mV @ 500µA, 10mA |
电流 - 集电极截止(最大) : | - |
频率 - 转换 : | 250MHz |
功率 - 最大 : | 300mW |
安装类型 : | 通孔 |
封装/外壳 : | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
供应商设备封装 : | TO-92-3 |
包装 : | 散装 |