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| DTC363EUT106 [更多] | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 20V 600MA RoHS: Compliant | 搜索 |
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| DTC363EUT106 | Rohm Semiconductor | TRANS NPN 20V 600MA SOT-323 TR | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Rohm Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount UMT3 型号：DTC363EUT106 仓库库存编号：DTC363EUT106-ND | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 3,000 |
| 系列 ： | - |
| 晶体管类型 ： | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） ： | 600mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） ： | 20V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） ： | 6.8K |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） ： | 6.8K |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) ： | 70 @ 50mA, 5V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） ： | 80mV @ 2.5mA, 50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） ： | - |
| 频率 - 转换 ： | 200MHz |
| 功率 - 最大 ： | 200mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | SC-70, SOT-323 |
| 供应商设备封装 ： | UMT3 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
