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分离式半导体 - 阵列﹐数字式 - Diodes Inc - DDA122LU-7-F - TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT-363
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DDA122LU-7-F
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Diodes Incorporated TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT3630
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DDA122LU-7-F Diodes Incorporated  
2303
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Diodes Incorporated

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 0.22K10K

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Trans Digital BJT PNP 100mA 6-Pin SOT-363 T/R (Alt: DDA122LU-7-F)

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DDA122LU-7-F
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Diodes Incorporated

Trans Digital BJT PNP 100mA 6-Pin SOT-363 T/R - Tape and Reel (Alt: DDA122LU-7-F)

RoHS: Not Compliant

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DDA122LU-7-F
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Diodes Incorporated

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

RoHS: Compliant

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Diodes Incorporated - DDA122LU-7-F - TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
Diodes Incorporated
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363

详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363

型号:DDA122LU-7-F
仓库库存编号:DDA122LU-7-F-ND

无铅
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DDA122LU-7-F|Diodes Inc
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
DDA122LU-7-F
制造商型号: DDA122LU-7-F
制造商: Diodes Inc
描述: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT-363
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品变化通告 : Encapsulate Change 09/July/2007
标准包装 : 3,000
系列 : -
晶体管类型 : 2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧) : 220
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) : 10K
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) : 56 @ 10mA, 5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) : 300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止(最大) : 500nA
频率 - 转换 : 200MHz
功率 - 最大 : 200mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装 : SOT-363
包装 : 带卷 (TR)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: DDA122LU-7-F
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