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| BSL806N L6327 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 20V 2.3A TSOP-6 RoHS: Compliant | 搜索 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 3,000 |
| 系列 ： | OptiMOS™ |
| FET 型 ： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 57 毫欧 @ 2.3A, 2.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 750mV @ 11µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 1.7nC @ 2.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 259pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 500mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | SC-74, SOT-457 |
| 供应商设备封装 ： | PG-TSOP6-6 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
