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| BSL211SP L6327 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-Ch -20V 4.7A TSOP-6 RoHS: Compliant | 搜索 |
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| BSL211SPL6327 [更多] | Infineon Technologies AG |
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| BSL211SP L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | BSL211SP L6327 INFINEON | 场效应管 MOSFET P沟道 20V 4.7A 6TSOP  | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 其它图纸 ： | Mosfets TSOP-6 |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | OptiMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 67 毫欧 @ 4.7A, 4.5V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 4.7A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1.2V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 12.4nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 654pF @ 15V |
| 功率 - 最大 ： | 2W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 6-TSOP |
| 供应商设备封装 ： | PG-TSOP6-6 |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
