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分离式半导体 - 单路 - Infineon Technologies - BC 846A E6327 - TRANSISTOR NPN AF 65V SOT-23
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BC-846A-E6327
库存编号:BC846AE6327-ND
Infineon Technologies AG TRANS NPN 65V 0.1A PG-SOT230
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BC846AE6327
库存编号:2156-BC846AE6327-ND
Rochester Electronics LLC TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT230
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Infineon Technologies AG

Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

RoHS: Compliant

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Infineon Technologies AG  

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INFINE

Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-23

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BC 846A E6327|Infineon TechnologiesBC 846A E6327
Infineon Technologies
TRANSISTOR NPN AF 65V SOT-23
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无图BC846AE6327
Infineon
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies - BC 846A E6327 - TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23
Infineon Technologies
TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23

详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 65V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3

型号:BC 846A E6327
仓库库存编号:BC 846A E6327-ND
别名:BC846AE6327XT <br>SP000010531 <br>

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BC 846A E6327|Infineon Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BC 846A E6327
制造商型号: BC 846A E6327
制造商: Infineon Technologies
描述: TRANSISTOR NPN AF 65V SOT-23
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 3,000
系列 : -
晶体管类型 : NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 65V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) : 600mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) : -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) : 110 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 : 330mW
频率 - 转换 : 250MHz
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装 : PG-SOT23-3
包装 : 带卷 (TR)

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