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分离式半导体 - RF 晶体管 (BJT) - Avago Technologies US Inc. - AT-32011-TR2G - TRANS NPN BIPO 5.5V 32MA SOT-143
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Broadcom Limited

TRANS NPN BIPO 5.5V 32MA SOT-143

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Broadcom Limited

RF Bipolar Transistors Transistor Si Low Current

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Trans GP BJT NPN 5.5V 0.032A 4-Pin(3+Tab) SOT-143 T/R - Tape and Reel (Alt: AT-32011-TR2G)

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AT-32011-TR2G
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Broadcom Limited

Trans GP BJT NPN 5.5V 0.032A 4-Pin(3+Tab) SOT-143 T/R (Alt: AT-32011-TR2G)

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射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current
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Broadcom Limited - AT-32011-TR2G - TRANS NPN BIPO 5.5V 32MA SOT-143
Broadcom Limited
TRANS NPN BIPO 5.5V 32MA SOT-143

详细描述:RF Transistor NPN 5.5V 32mA 200mW Surface Mount SOT-143

型号:AT-32011-TR2G
仓库库存编号:AT-32011-TR2G-ND

无铅
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AT-32011-TR2G|Avago Technologies US Inc.
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
AT-32011-TR2G
制造商型号: AT-32011-TR2G
制造商: Avago Technologies US Inc.
描述: TRANS NPN BIPO 5.5V 32MA SOT-143
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 10,000
系列 : -
晶体管类型 : NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 5.5V
频率 - 转换 : -
噪声系数(dB典型值@频率) : 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz
增益 : 12.5dB ~ 14dB
功率 - 最大 : 200mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) : 70 @ 2mA, 2.7V
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : 32mA
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-253-4, TO-253AA
供应商设备封装 : SOT-143
包装 : 带卷 (TR)

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