| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| APT200GN60B2G [更多] | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W TO247 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| APT200GN60B2G [更多] | Microsemi Corporation | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| APT200GN60B2G [更多] | Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 600V 283A 682000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX RoHS: Compliant | 搜索 |
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| APT200GN60B2G [更多] | Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 600V 283A 3-Pin(3+Tab) T-MAX RoHS: Compliant | 搜索 |
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| APT200GN60B2G [更多] | Microsemi Corporation | APT200GN60B2G Series 600 V 283 A Flange Mount Field Stop IGBT - TO-247-3 RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| APT200GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W TO247 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Microsemi Corporation IGBT 600V 283A 682W TO247 详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole 型号：APT200GN60B2G 仓库库存编号：APT200GN60B2G-ND 别名：APT200GN60B2GMI <br>APT200GN60B2GMI-ND <br> | | 搜索 |
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