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分离式半导体 - IGBT - 单路 - Microsemi Power Products Group - APT15GP60BG - IGBT 600V 56A 250W TO247
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APT15GP60BG
库存编号:APT15GP60BG-ND
Microchip Technology Inc IGBT PT 600V 56A TO2470
110起订
110+
¥47.81
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APT15GP60BG
库存编号:494-APT15GP60BG
Microchip Technology Inc IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 600 V 15 A TO-2470
1起订
1+
100+
¥55.9
¥48.22
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APT15GP60BG Microchip Technology Inc Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube0
5起订
5+
50+
100+
250+
500+
1000+
2500+
5000+
¥58.89
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¥47.32
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APT15GP60BG
库存编号:APT15GP60BG
Microchip Technology Inc Power MOS 7 IGBT N-Channel 600V 56A 3-Pin TO-247 - Rail/Tube (Alt: APT15GP60BG)0
110起订
110+
120+
230+
550+
1100+
¥49.34
¥48.55
¥47.76
¥46.97
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APT15GP60BG
库存编号:APT15GP60BG
Microchip Technology Inc IGBT PT MOS 7 Single 600 V 15 A TO-247, TO-247, Projected EOL: 2044-04-300
1起订
1+
100+
250+
500+
1000+
5000+
¥64.97
¥56.04
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¥52.75
¥51.37
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APT15GP60BG
库存编号:APT15GP60BG
Microchip Technology Inc Transistor: IGBT, PT, 600V, 27A, 250W, TO247-30
1起订
1+
3+
10+
¥97.92
¥88.2
¥77.91
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APT15GP60BG Microsemi Corporation  
64
1起订
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20+
¥264.25
¥234.89
¥217.27
1-3周购买 购买
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APT15GP60BG
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Microsemi Corporation

IGBT 600V 56A 250W TO247

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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APT15GP60BG
[更多]
Microsemi Corporation

IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single

RoHS: Compliant

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APT15GP60BG|Microsemi Power Products GroupAPT15GP60BG
Microsemi Power Products Group
IGBT 600V 56A 250W TO247
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Microsemi Power Products Group
IGBT 600V 56A 250W TO247
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IGBT 600V 56A 250W TO247
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Microsemi Corporation - APT15GP60BG - IGBT 600V 56A 250W TO247
Microsemi Corporation
IGBT 600V 56A 250W TO247

详细描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B]

型号:APT15GP60BG
仓库库存编号:APT15GP60BG-ND

无铅
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APT15GP60BG|Microsemi Power Products Group
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
APT15GP60BG
制造商型号: APT15GP60BG
制造商: Microsemi Power Products Group
描述: IGBT 600V 56A 250W TO247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 30
系列 : POWER MOS 7®
IGBT 类型 : PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开) : 2.7V @ 15V, 15A
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : 56A
功率 - 最大 : 250W
输入类型 : 标准型
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-247-3
供应商设备封装 : TO-247 [B]
包装 : 管件

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