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分离式半导体 - IGBT - 单路 - Microsemi - APT102GA60L - IGBT 600V 183A 780W TO264
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Microsemi Corporation

IGBT 600V 183A 780W TO264

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APT102GA60L
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Microsemi Corporation

IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single

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Microsemi Corporation - APT102GA60L - IGBT 600V 183A 780W TO264
Microsemi Corporation
IGBT 600V 183A 780W TO264

详细描述:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole TO-264 [L]

型号:APT102GA60L
仓库库存编号:APT102GA60L-ND
别名:APT102GA60LMI <br>APT102GA60LMI-ND <br>

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APT102GA60L|Microsemi
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
APT102GA60L
制造商型号: APT102GA60L
制造商: Microsemi
描述: IGBT 600V 183A 780W TO264
技术参考: Rohs PDF查询
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