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分离式半导体 - IGBT - 单路 - Microsemi - APT100GT60JRDQ4 - IGBT 600V 148A 500W SOT227
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APT100GT60JRDQ4
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Microsemi Corporation

IGBT 600V 148A 500W SOT227

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APT100GT60JRDQ4
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Microsemi Corporation

IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi

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Microsemi Corporation

Trans IGBT Chip N-CH 600V 148A 500000mW 4-Pin SOT-227

RoHS: Compliant

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APT100GT60JRDQ4
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Microsemi Corporation

Trans IGBT Chip N-CH 600V 148A 4-Pin SOT-227

RoHS: Compliant

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APT100GT60JRDQ4
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Microsemi Corporation

600V, 100A, VCE(ON) = 2.1V Typical SOT-227 (ISOTOP?) IGBT

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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APT100GT60JRDQ4|Microsemi Power Products GroupAPT100GT60JRDQ4
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Microsemi Corporation - APT100GT60JRDQ4 - IGBT 600V 148A 500W SOT227
Microsemi Corporation
IGBT 600V 148A 500W SOT227

详细描述:IGBT Module NPT Single 600V 148A 500W Chassis Mount ISOTOP?

型号:APT100GT60JRDQ4
仓库库存编号:APT100GT60JRDQ4-ND
别名:APT100GT60JRDQ4MI <br>APT100GT60JRDQ4MI-ND <br>

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APT100GT60JRDQ4|Microsemi
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
APT100GT60JRDQ4
制造商型号: APT100GT60JRDQ4
制造商: Microsemi
描述: IGBT 600V 148A 500W SOT227
技术参考: Rohs PDF查询
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