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分离式半导体 - IGBT - 单路 - Microsemi Power Products Group - APT100GN60B2G - IGBT 600V 229A 625W TMAX
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APT100GN60B2G
库存编号:APT100GN60B2G-ND
Microchip Technology Inc IGBT TRENCH FIELD STOP 600V 229A0
60起订
60+
¥118.97
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APT100GN60B2G
库存编号:494-APT100GN60B2G
Microchip Technology Inc IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 100 A TO-247 MAX0
1起订
1+
100+
¥112.87
¥97.5
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APT100GN60B2G Microchip Technology Inc Trans IGBT Chip N-CH 600V 229A 625000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube0
1起订
1+
5+
25+
50+
100+
250+
500+
1000+
¥130.82
¥118.93
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¥102.21
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APT100GN60B2G
库存编号:APT100GN60B2G
Microchip Technology Inc Transistor IGBT N-Channel 600V 229A 3-Pin TO-247 - Rail/Tube (Alt: APT100GN60B2G)0
60起订
60+
70+
130+
300+
600+
¥100.36
¥98.76
¥97.17
¥95.58
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APT100GN60B2G
库存编号:APT100GN60B2G
Microchip Technology Inc IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 100 A TO-247 MAX, T-MAX, Projected EOL: 2044-04-300
1起订
1+
100+
250+
500+
1000+
5000+
¥131.17
¥113.32
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APT100GN60B2G
库存编号:APT100GN60B2G
Microchip Technology Inc Transistor: IGBT, Field Stop, 600V, 135A, 625W, T-Max0
1起订
1+
3+
10+
¥198.54
¥176.96
¥157.09
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APT100GN60B2G Microsemi Corporation  
19
1起订
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5+
¥237.73
¥178.3
1-3周购买 购买
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APT100GN60B2G
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Microsemi Corporation

IGBT 600V 229A 625W TMAX

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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APT100GN60B2G
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Microsemi Corporation

IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single

RoHS: Compliant

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APT100GN60B2G|Microsemi Power Products GroupAPT100GN60B2G
Microsemi Power Products Group
IGBT 600V 229A 625W TMAX
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IGBT 600V 229A 625W TMAX
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IGBT 600V 229A 625W TMAX
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Microsemi Corporation - APT100GN60B2G - IGBT 600V 229A 625W TMAX
Microsemi Corporation
IGBT 600V 229A 625W TMAX

详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole

型号:APT100GN60B2G
仓库库存编号:APT100GN60B2G-ND

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APT100GN60B2G|Microsemi Power Products Group
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
APT100GN60B2G
制造商型号: APT100GN60B2G
制造商: Microsemi Power Products Group
描述: IGBT 600V 229A 625W TMAX
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 30
系列 : -
IGBT 类型 : 沟道和场截止
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开) : 1.85V @ 15V, 100A
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : 229A
功率 - 最大 : 625W
输入类型 : 标准型
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-247-3 变式
供应商设备封装 : T-MAX™ [B2]
包装 : 管件

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