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| 2N7002_L99Z [更多] | ON Semiconductor | MOSFET NCh Enhancement Mode RoHS: Compliant | 搜索 |
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| 2N7002_L99Z | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 115mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-23（TO-236AB） 型号：2N7002_L99Z 仓库库存编号：2N7002_L99Z-ND |  | 搜索 |
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PDF查询| 产品变化通告 ： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装 ： | 3,000 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 7.5 欧姆 @ 500mA, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | - |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 200mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 ： | SOT-23 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
