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| TP0101K-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI2365EDS-T1-GE3 RoHS: Compliant | 搜索 |
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| TP0101K-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 20V TO236 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | TP0101K-T1-GE3 VISHAY | 场效应管 MOSFET P沟道 20V 0.58A SOT23  | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 3,000 |
| 系列 ： | TrenchFET® |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | - |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 650 毫欧 @ 580mA, 4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 2.2nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | - |
| 功率 - 最大 ： | - |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 ： | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
