| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| TP0101K-T1-E3 | Vishay Intertechnologies | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,580MA I(D),SOT-23 | 3401 1起订 | 1+ 801+ 1715+ | ￥45.72 ￥16.01 ￥13.72 | 1-3周 | 购买 |
| TP0101K-T1-E3 | Vishay Intertechnologies | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,580MA I(D),SOT-23 | 84 1起订 | 1+ 7+ 30+ | ￥15.55 ￥12.44 ￥9.33 | 1-3周 | 购买 |
| TP0101K-T1-E3 | Vishay Intertechnologies | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,580MA I(D),SOT-23 | 16 1起订 | 1-3周 | 询价 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| TP0101K-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 20V 0.58A 0.65Ohm RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| TP0101K-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.58A 3-Pin TO-236 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| TP0101K-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.58A 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| TP0101K-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.58A 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| TP0101K-T1-E3 [更多] | 1ST MAINBOARD | MOSFET Transistor, P-Channel, SOT-23
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| TP0101K-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET Transistor, P-Channel, SOT-23
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| TP0101K-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET Transistor, P-Channel, SOT-23
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| TP0101K-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 580MA SOT23-3 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | TP0101K-T1-E3 VISHAY | 单 P 沟道 20 V 0.65 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236  | 查价格库存 查看详细 |
 | TP0101K-T1-E3. VISHAY SILICONIX | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | TP0101K-T1-E3 Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 580MA SOT23-3 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 0.58A SOT23-3 详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236） 型号：TP0101K-T1-E3 仓库库存编号：TP0101K-T1-E3CT-ND 别名：TP0101K-T1-E3CT <br> | | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
TP0101K-T1-E3 | 2101466 | VISHAY 晶体管, MOSFET, P沟道, -580 mA, -20 V, 420 mohm, -4.5 V, 700 mV (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| TP0101K-T1-E3 VISHAY | 单 P 沟道 20 V 0.65 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236 | 查价格库存 查看详细 |
| TP0101K-T1-E3 VISHAY SILICONIX | 场效应管 MOSFET P沟道 -20V -580mA | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 产品目录绘图 ： | SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | TrenchFET® |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 580mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 650 毫欧 @ 580mA, 4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 2.2nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | - |
| 功率 - 最大 ： | 350mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 ： | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
