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| SUP60N10-16L-E3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| SUP60N10-16L-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUP85N10-10-E3 RoHS: Compliant | 搜索 |
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| SUP60N10-16L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | SUP60N10-16L-E3 VISHAY | 单 N沟道 100 V 0.016 Ohms 法兰安装 功率Mosfet - TO-220AB  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB 详细描述：通孔 N 沟道 100V 60A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB 型号：SUP60N10-16L-E3 仓库库存编号：SUP60N10-16L-E3-ND | | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 500 |
| 系列 ： | TrenchFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 16 毫欧 @ 30A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 110nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 3820pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 150W |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 ： | TO-220AB |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
