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分离式半导体 - MOSFET - 单 - STMicroelectronics - STY100NS20FD - MOSFET N-CH 200V 100A MAX247
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STY100NS20FD
库存编号:497-5321-5-ND
STMicroelectronics MOSFET N-CH 200V 100A MAX2470
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STY100NS20FD
库存编号:STY100NS20FD
STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube - Rail/Tube (Alt: STY100NS20FD)0
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STY100NS20FD STMicroelectronics TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,100A I(D),TO-247VAR24
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STY100NS20FD
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STMicroelectronics

MOSFET N-Ch 200 Volt 100 A

RoHS: Compliant

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STMicroelectronics - STY100NS20FD - MOSFET N-CH 200V 100A MAX247
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 100A MAX247

详细描述:通孔 N 沟道 200V 100A(Tc) 450W(Tc) MAX247?

型号:STY100NS20FD
仓库库存编号:497-5321-5-ND
别名:497-5321-5 <br>

无铅
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STY100NS20FD|STMicroelectronics
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STY100NS20FD
制造商型号: STY100NS20FD
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 200V 100A MAX247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 : ST Series Max247
标准包装 : 30
系列 : MESH OVERLAY™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 24 毫欧 @ 50A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 360nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 7900pF @ 25V
功率 - 最大 : 450W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : MAX247™
供应商设备封装 : MAX-247
包装 : 管件

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