| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| STS4DPF30L 库存编号:497-3228-2-ND | STMicroelectronics | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC | 0 2500起订 | 2500+ 5000+ | ￥7.38 ￥6.9 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
| STS4DPF30L 库存编号:497-3228-1-ND | STMicroelectronics | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC | 0 1起订 | 1+ | ￥25.92 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
| STS4DPF30L 库存编号:497-3228-6-ND | STMicroelectronics | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC | 0 1起订 | 1+ | ￥25.92 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STS4DPF30L [更多] | STMicroelectronics | MOSFET P-Ch 30 Volt 4 Amp RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STS4DPF30L [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SO N T/R (Alt: STS4DPF30L) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STS4DPF30L [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SO N T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STS4DPF30L [更多] | STMicroelectronics | MOSFET, PP CH, 30V, 4A, 8SOIC
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| STS4DPF30L | STMicroelectronics | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | STS4DPF30L STMicroelectronics | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | STS4DPF30L STMicroelectronics | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| STS4DPF30L STMicroelectronics | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | STMicroelectronics MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC 详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount 8-SO 型号：STS4DPF30L 仓库库存编号：497-3228-1-ND 别名：497-3228-1 <br> | | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： STS4DPF30L 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 248-861 | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
STS4DPF30L | 2098407 | STMICROELECTRONICS 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V (EN) | 搜索 |
PDF查询| 产品目录绘图 ： | ST Series 8-SOIC, 8-TSSOP |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | STripFET™ |
| FET 型 ： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 80 毫欧 @ 2A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 16nC @ 5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1350pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 2W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 ： | 8-SO |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
