型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
STB3N62K3 | STMicroelectronics | | 700 1起订 | 1+ 217+ 467+ | ¥50.91 ¥23.55 ¥21 | 1-3周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
STB3N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | STMicroelectronics MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Tc) 45W(Tc) D2PAK 型号:STB3N62K3 仓库库存编号:497-8476-1-ND 别名:497-8476-1 <br> | 无铅 | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
STB3N62K3![]() | 2098139 | STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 620 V, 2.2 ohm, 10 V, 3.75 V ![]() | 搜索 |
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB3N62K3, 2.7 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-263封装
| 制造商零件编号: STB3N62K3 品牌: STMicroelectronics 库存编号: 760-9831 | 搜索 |
产品目录绘图 : | ST Series D2PAK |
标准包装 : | 1 |
系列 : | SuperMESH™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 620V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 2.7A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 2.5 欧姆 @ 1.4A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4.5V @ 50µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 13nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 385pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 45W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
供应商设备封装 : | D2PAK |
包装 : | 剪切带 (CT) |