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SPU18P06P | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251 详细描述:通孔 P 沟道 60V 18.6A(Tc) PG-TO251-3 型号:SPU18P06P 仓库库存编号:SPU18P06PIN-ND 别名:SP000012303 <br>SPU18P06P-ND <br>SPU18P06PIN <br>SPU18P06PX <br>SPU18P06PXK <br> | 无铅 | 搜索 |
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产品目录绘图 : | Mosfets TO-251(-3), I-PAK |
标准包装 : | 75 |
系列 : | SIPMOS® |
FET 型 : | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 18.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 130 毫欧 @ 13.2A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 33nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 860pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 80W |
安装类型 : | 通孔 |
封装/外壳 : | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
供应商设备封装 : | P-TO251-3 |
包装 : | 管件 |