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| SN7002N H6327 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 60V 200mA SOT-23-3 RoHS: Compliant | 搜索 |
| SN7002NH6327XTSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 60V 200mA SOT-23-3 RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SN7002NH6327XTSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| SN7002NH6327XTSA2 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| SN7002NH6327XTSA2 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 3,000 |
| 系列 ： | SIPMOS® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 5 欧姆 @ 500mA, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1.8V @ 26µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 1.5nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 45pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 360mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 ： | PG-SOT23-3 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
