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电路保护 - 过电压,电流,温度装置 - 齐纳二极管 - Vishay General Semiconductor - SM8S33HE3/2D - TVS 8W 33V 10% DO-218AB
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SM8S33HE3-2D
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Vishay Semiconductors TVS DIODE 33VWM 59VC DO218AB0
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SM8S33HE3/2D
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Vishay Semiconductors

TVS DIODE 33V 59V DO218AB

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Vishay Intertechnologies

ESD Suppressors / TVS Diodes RECOMMENDED ALT 78-SM8S33AHE3_A/I

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SM8S33HE3/2D|Vishay SemiconductorsSM8S33HE3/2D
Vishay Semiconductors
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.0W 33V 10% Unidir
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Vishay Semiconductor Diodes Division - SM8S33HE3/2D - TVS DIODE 33VWM 63.3VC DO218AB
Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 33VWM 63.3VC DO218AB


型号:SM8S33HE3/2D
仓库库存编号:SM8S33HE3/2D-ND

无铅
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SM8S33HE3/2D|Vishay General Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SM8S33HE3/2D
制造商型号: SM8S33HE3/2D
制造商: Vishay General Semiconductor
描述: TVS 8W 33V 10% DO-218AB
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
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订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 750
系列 : -
电压 - 反向隔离(标准值) : 33V
电压 - 击穿 : 36.7V
功率(瓦特) : 8W
电极标记 : 单向
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : DO-218AB
供应商设备封装 : DO-218AB
包装 : 带卷 (TR)

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