型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SIDC23D120H6X1SA1 库存编号:SIDC23D120H6X1SA1 | Infineon Technologies AG | Diode Switching 1200V 35A DIE - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film (Alt: SIDC23D120H6X1SA1) | 0 起订 | 1-2周 | 询价 |
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SIDC23D120H6X1SA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Diode Switching 1200V 35A DIE - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film (Alt: SIDC23D120H6X1SA1)
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SIDC23D120H6 | Infineon Technologies | DIODE FAST SW 1200V 35A WAFER | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER 详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 35A(DC) 带箔切割晶片 型号:SIDC23D120H6 仓库库存编号:SIDC23D120H6-ND 别名:SP000013214 <br> | 含铅 | 搜索 |
标准包装 : | 1 |
系列 : | - |
二极管型 : | 标准 |
电压 - (Vr)(最大) : | 1200V (1.2kV) |
电流 - 平均整流 (Io) : | 35A (DC) |
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大) : | 1.6V @ 35A |
速度 : | 标准恢复 >500ns,> 200mA (Io) |
反向恢复时间(trr) : | - |
电流 - 在 Vr 时反向漏电 : | 27µA @ 1200V |
电容@ Vr, F : | - |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 晶片 |
供应商设备封装 : | 带箔切割晶片 |
包装 : | 散装 |