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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Vishay Siliconix - SI7461DP-T1-GE3 - MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
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型号 制造商 描述 操作
SI7461DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SI7461DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SI7461DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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  美国2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI7461DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V 14.4A 5.4W 14.5mohm @ 10V

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SI7461DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI7461DP-T1-GE3/BKN)

RoHS: Not Compliant

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SI7461DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7461DP-T1-GE3)

RoHS: Not Compliant

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SI7461DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R (Alt: SI7461DP-T1-GE3)

RoHS: Compliant

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  日本3号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI7461DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

RoHS: Compliant

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SI7461DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

RoHS: Compliant

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SI7461DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

RoHS: Compliant

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SI7461DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

RoHS: Compliant

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  新加坡1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI7461DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 60 V 0.00625 Ohm Surface Mount Power MosFet - POWERPAK-SO-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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  英国2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI7461DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix

60V 14.4A 5.4W 14.5mohm @ 10V

RoHS: Compliant

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  美国6号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI7461DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V 14.4A 5.4W 14.5mohm @ 10V

pbFree: Pb-Free

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SI7461DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC 查看库存、价格及货期
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Vishay Siliconix - SI7461DP-T1-GE3 - MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8

详细描述:表面贴装 P 沟道 8.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8

型号:SI7461DP-T1-GE3
仓库库存编号:SI7461DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7461DP-T1-GE3CT <br>

无铅
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  新加坡2号仓库    查看更多相关产品
制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SI7461DP-T1-GE3..
VISHAY SI7461DP-T1-GE3..
8156808

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, 8.6 A, -60 V, 0.0115 ohm, -10 V, -3 V

(EN)
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SI7461DP-T1-GE3.
VISHAY SI7461DP-T1-GE3.
2395380

VISHAY

场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -8.6A, POWERPAK SO-8

(EN)
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SI7461DP-T1-GE3
VISHAY SI7461DP-T1-GE3
2478973

VISHAY

场效应管, MOSFET, P通道, -60V, 14.4A, SOIC, 整卷

(EN)
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SI7461DP-T1-GE3..
VISHAY SI7461DP-T1-GE3..
8156808RL

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, 8.6 A, -60 V, 0.0115 ohm, -10 V, -3 V

(EN)
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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

Siliconix / Vishay - SI7461DP-T1-GE3 - 60V 14.4A 5.4W 14.5mohm @ 10V|70459565 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
60V 14.4A 5.4W 14.5mohm @ 10V


型号:SI7461DP-T1-GE3
仓库库存编号:70459565

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SI7461DP-T1-GE3|VISHAYSI7461DP-T1-GE3
VISHAY
场效应管 MOSFET N沟道 60V 8.6A PPAK SO8
Rohs

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SI7461DP-T1-GE3|Vishay SiliconixSI7461DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SI7461DP-T1-GE3|VISHAYSI7461DP-T1-GE3
VISHAY
场效应管 MOSFET N沟道 60V 8.6A PPAK SO8
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SI7461DP-T1-GE3|Vishay SiliconixSI7461DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
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SI7461DP-T1-GE3|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI7461DP-T1-GE3
制造商型号: SI7461DP-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
产品目录绘图 : DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装 : 1
系列 : -
FET 型 : MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 14.5 毫欧 @ 14.4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 8.6A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 190nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : -
功率 - 最大 : 1.9W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : PowerPAK® SO-8
供应商设备封装 : PowerPAK® SO-8
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SI7461DP-T1-GE3
旗下站点www.szcwdz.cn相关详细信息: SI7461DP-T1-GE3
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