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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Vishay Siliconix - SI7434DP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC
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SI7434DP-T1-GE3
库存编号:SI7434DP-T1-GE3CT-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-89556
1起订
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SI7434DP-T1-GE3
库存编号:SI7434DP-T1-GE3DKR-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-89556
1起订
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SI7434DP-T1-GE3
库存编号:SI7434DP-T1-GE3TR-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-89000
3000起订
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SI7434DP-T1-GE3
库存编号:781-SI7434DP-T1-GE3
Vishay Intertechnologies MOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-85749
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参考价格及参考库存
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SI7434DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SI7434DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SI7434DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SI7434DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 250V 3.8A 5.2W 155mohm @ 10V

RoHS: Compliant

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SI7434DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R

RoHS: Compliant

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SI7434DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R (Alt: SI7434DP-T1-GE3)

RoHS: Compliant

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SI7434DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7434DP-T1-GE3)

RoHS: Not Compliant

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SI7434DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R

RoHS: Compliant

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SI7434DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R

RoHS: Compliant

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SI7434DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R

RoHS: Compliant

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SI7434DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 250V, 3.8A, SOIC

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SI7434DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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SI7434DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 250V 3.8A 5.2W 155mohm @ 10V

pbFree: Pb-Free

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SI7434DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC 查看库存、价格及货期
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SI7434DP-T1-GE3|VISHAY SILICONIXSI7434DP-T1-GE3
VISHAY SILICONIX
MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC
Rohs

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SI7434DP-T1-GE3|Vishay SiliconixSI7434DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC
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SI7434DP-T1-GE3|Vishay SiliconixSI7434DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC
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Vishay Siliconix - SI7434DP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8

型号:SI7434DP-T1-GE3
仓库库存编号:SI7434DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7434DP-T1-GE3CT <br>

无铅
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SI7434DP-T1-GE3
VISHAY SI7434DP-T1-GE3
2132253

VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道, 250V, 3.8A, SOIC

(EN)
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SI7434DP-T1-GE3|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI7434DP-T1-GE3
制造商型号: SI7434DP-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
产品目录绘图 : DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装 : 1
系列 : -
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 155 毫欧 @ 3.8A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 2.3A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 50nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : -
功率 - 最大 : 1.9W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : PowerPAK® SO-8
供应商设备封装 : PowerPAK® SO-8
包装 : 剪切带 (CT)

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