| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SI6928DQ-T1-E3 库存编号:SI6928DQ-T1-E3DKR-ND | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8TSSOP | 0 1起订 | 1+ | ￥20.06 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
| SI6928DQ-T1-E3 库存编号:SI6928DQ-T1-E3CT-ND | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8TSSOP | 0 1起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
| SI6928DQ-T1-E3 库存编号:SI6928DQ-T1-E3TR-ND | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8TSSOP | 0 1起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI6928DQ-T1 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 30V 4A 1W RoHS: Not compliant | 搜索 |
| SI6928DQ-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 30V 4A 1W RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SI6928DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 30V 4.0A 8TSSOP | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SI6928DQ-T1-E3 VISHAY | 双 N沟道 30 V 0.035 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - TSSOP-8  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SI6928DQ-T1-E3 VISHAY | 双 N沟道 30 V 0.035 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - TSSOP-8 | 查价格库存 查看详细 |
| SI6928DQ-T1-E3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 30V 4.0A 8TSSOP | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SI6928DQ-T1-E3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 30V 4.0A 8TSSOP | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 4A 8TSSOP 详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 8-TSSOP 型号：SI6928DQ-T1-E3 仓库库存编号：SI6928DQ-T1-E3CT-ND 别名：SI6928DQ-T1-E3CT <br> | | 搜索 |
PDF查询| 产品目录绘图 ： | DQ-T1-E3 Series 8-TSSOP |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 35 毫欧 @ 4A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 4A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 14nC @ 5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | - |
| 功率 - 最大 ： | 1W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-TSSOP（0.173", 4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装 ： | 8-TSSOP |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
