| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SI3483DV-T1-E3 库存编号:SI3483DV-T1-E3TR-ND | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.7A 6TSOP | 0 起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
| SI3483DV-T1-E3 库存编号:SI3483DV-T1-E3DKR-ND | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.7A 6TSOP | 0 1起订 | 1+ | ￥12.71 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
| SI3483DV-T1-E3 库存编号:SI3483DV-T1-E3CT-ND | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.7A 6TSOP | 0 1起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SI3483DV-T1-E3 | Vishay Intertechnologies | 4700MA, 30V, P-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET | 999 1起订 | 1+ 79+ 315+ | ￥23.32 ￥11.66 ￥9.33 | 1-3周 | 购买 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI3483DV-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 30V 6.2A 2.0W 35mohm @ 10V RoHS: Compliant | 搜索 |
| SI3483DV-T1-E3 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 30V PCHANNEL RoHS: Not compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI3483DV-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | 4700MA, 30V, P-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SI3483DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SI3483DV-T1-E3 Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V PCHANNEL 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | SI3483DV-T1-E3 VISHAY | 单 P沟道 30 V 0.035 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - TSOP-6  | 查价格库存 查看详细 |
 | SI3483DV-T1-E3 Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| SI3483DV-T1-E3 Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V PCHANNEL 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SI3483DV-T1-E3 Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP 详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.7A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP 型号：SI3483DV-T1-E3 仓库库存编号：SI3483DV-T1-E3CT-ND 别名：SI3483DV-T1-E3CT <br> | | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
SI3483DV-T1-E3 | 2335296 | VISHAY 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -30 V, 0.028 ohm, -10 V, -1 V (EN) | 搜索 |
PDF查询| 产品目录绘图 ： | DV-T1-E3 Series 6-TSOP |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | TrenchFET® |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 35 毫欧 @ 6.2A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 4.7A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 35nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | - |
| 功率 - 最大 ： | 1.14W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 6-TSOP（0.065", 1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装 ： | 6-TSOP |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
