| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI2316DS-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI2316DS-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI2316DS-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SI2316DS-T1-GE3) RoHS: Compliant | 搜索 |
| SI2316DS-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2316DS-T1-GE3) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI2316DS-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SI2316DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SI2316DS-T1-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| SI2316DS-T1-GE3 VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| SI2316DS-T1-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 | 查价格库存 查看详细 |
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 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236） 型号：SI2316DS-T1-GE3 仓库库存编号：SI2316DS-T1-GE3-ND | | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 3,000 |
| 系列 ： | TrenchFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 50 毫欧 @ 3.4A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 800mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 7nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 215pF @ 15V |
| 功率 - 最大 ： | 700mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 ： | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
