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分离式半导体 - MOSFETs - 阵列 - Vishay Siliconix - SI1553DL-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
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SI1553DL-T1-GE3
库存编号:SI1553DL-T1-GE3CT-ND
Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 0.66A SC70-60
1起订
6-10天询价 询价
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SI1553DL-T1-GE3
库存编号:SI1553DL-T1-GE3DKR-ND
Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 0.66A SC70-60
1起订
1+
¥6.36
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SI1553DL-T1-GE3
库存编号:SI1553DL-T1-GE3TR-ND
Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 0.66A SC70-60
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  美国2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
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SI1553CDL-T1-GE3
库存编号:78-SI1553CDL-T1-GE3
Vishay Intertechnologies MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR57552
1起订
1+
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3000+
6000+
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  美国6号仓库+5    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
SI1553CDL-T1-GE3
库存编号:SI1553CDL-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR75000
3000起订
3000+
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1-3周购买 购买
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参考价格及参考库存
  美国2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
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SI1553CDL-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V 0.7/-0.5

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SI1553DL-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SI1553CDL-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V 0.7/-0.5

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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SI1553DL-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 查看库存、价格及货期
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SI1553DL-T1-GE3|VISHAY SILICONIXSI1553DL-T1-GE3
VISHAY SILICONIX
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Rohs

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SI1553DL-T1-GE3|Vishay SiliconixSI1553DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Rohs

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SI1553DL-T1-GE3|Vishay SiliconixSI1553DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
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Vishay Siliconix - SI1553DL-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 660mA, 410mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)

型号:SI1553DL-T1-GE3
仓库库存编号:SI1553DL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1553DL-T1-GE3CT <br>

无铅
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SI1553DL-T1-GE3|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI1553DL-T1-GE3
制造商型号: SI1553DL-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 : DL-T1-E3 Series SOT-363
标准包装 : 1
系列 : TrenchFET®
FET 型 : N 和 P 沟道
FET 特点 : 逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 385 毫欧 @ 660ma, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss) : 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 660mA, 410mA
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 600mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 1.2nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : -
功率 - 最大 : 270mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装 : SC-70-6
包装 : 剪切带 (CT)

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