型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI1025X-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 60V 0.5A RoHS: Compliant | 搜索 |
SI1025X-T1 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 60V 0.5A RoHS: Not compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI1025X-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Dual P-Channel 60 V 4 Ohm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SC-89-6 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SI1025X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | SI1025X-T1-E3 VISHAY | DUAL,-60V,0.2A,4000MOHM,SC-89-![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F 详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6 型号:SI1025X-T1-E3 仓库库存编号:SI1025X-T1-E3CT-ND 别名:SI1025X-T1-E3CT <br>SI1025XT1E3 <br> | 无铅 | 搜索 |
产品目录绘图 : | X-T1-E3 Series SOT-563 |
标准包装 : | 1 |
系列 : | TrenchFET® |
FET 型 : | 2 个 P 沟道(双) |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 190mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 4 欧姆 @ 500mA, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 1.7nC @ 15V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 23pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 250mW |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | SOT-563, SOT-666 |
供应商设备封装 : | SC-89-6 |
包装 : | 剪切带 (CT) |