型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
PMGD400UN,115 库存编号:568-2368-6-ND | NXP Semiconductors | MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP | 0 1起订 | 1+ | ¥5.24 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
PMGD400UN,115 库存编号:568-2368-1-ND | NXP Semiconductors | MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP | 0 1起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
PMGD400UN,115 库存编号:568-2368-2-ND | NXP Semiconductors | MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP | 0 1起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
PMGD400UN,115 | NXP Semiconductors | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.71A I(D), 30V, 2-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET | 3947 1起订 | 1+ 431+ 2390+ | ¥3.41 ¥1.54 ¥1.11 | 1-3周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
PMGD400UN,115 [更多] | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.71A 6-Pin TSSOP T/R
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
PMGD400UN,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363 | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | PMGD400UN,115 NXP | PMGD 系列 30 V 480 mΩ 410 mW 双 N沟道 μTrenchMOS 超低 FET - SOT-363![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
![]() | PMGD400UN,115 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
![]() | PMGD400UN115 NXP | 场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 30V SOT363![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | PMGD400UN 115 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
![]() | PMGD400UN,115 NXP | PMGD 系列 30 V 480 mΩ 410 mW 双 N沟道 μTrenchMOS 超低 FET - SOT-363![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
![]() | PMGD400UN115 NXP | 场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 30V SOT363![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | PMGD400UN,115 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP 详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 710mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP 型号:PMGD400UN,115 仓库库存编号:568-2368-1-ND 别名:568-2368-1 <br> | 无铅 | 搜索 |
产品目录绘图 : | PMB, PMG Series SOT-363 |
标准包装 : | 1 |
系列 : | TrenchMOS™ |
FET 型 : | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 710mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 480 毫欧 @ 200mA, 4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 0.89nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 43pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 410mW |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
供应商设备封装 : | 6-TSSOP |
包装 : | 剪切带 (CT) |