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分离式半导体 - MOSFETs - 阵列 - NXP Semiconductors - PMGD400UN,115 - MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363
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PMGD400UN,115
库存编号:568-2368-6-ND
NXP Semiconductors MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP0
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PMGD400UN,115
库存编号:568-2368-1-ND
NXP Semiconductors MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP0
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PMGD400UN,115
库存编号:568-2368-2-ND
NXP Semiconductors MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP0
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PMGD400UN,115 NXP Semiconductors SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.71A I(D), 30V, 2-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET3947
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PMGD400UN,115
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Nexperia

Trans MOSFET N-CH 30V 0.71A 6-Pin TSSOP T/R

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PMGD400UN,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363 查看库存、价格及货期
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PMGD400UN,115|NXPPMGD400UN,115
NXP
PMGD 系列 30 V 480 mΩ 410 mW 双 N沟道 μTrenchMOS 超低 FET - SOT-363
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PMGD400UN,115|NXP SemiconductorsPMGD400UN,115
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP
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PMGD400UN115|NXPPMGD400UN115
NXP
场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 30V SOT363
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无图PMGD400UN 115
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH TRENCH DL 30V
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PMGD400UN,115|NXPPMGD400UN,115
NXP
PMGD 系列 30 V 480 mΩ 410 mW 双 N沟道 μTrenchMOS 超低 FET - SOT-363
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PMGD400UN115|NXPPMGD400UN115
NXP
场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 30V SOT363
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PMGD400UN,115|NXP SemiconductorsPMGD400UN,115
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363
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NXP USA Inc. - PMGD400UN,115 - MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP
NXP USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 710mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP

型号:PMGD400UN,115
仓库库存编号:568-2368-1-ND
别名:568-2368-1 <br>

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PMGD400UN,115|NXP Semiconductors
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PMGD400UN,115
制造商型号: PMGD400UN,115
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
产品目录绘图 : PMB, PMG Series SOT-363
标准包装 : 1
系列 : TrenchMOS™
FET 型 : 2 个 N 沟道(双)
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 710mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 480 毫欧 @ 200mA, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 0.89nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 43pF @ 25V
功率 - 最大 : 410mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装 : 6-TSSOP
包装 : 剪切带 (CT)

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