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| PHB108NQ03LT,118 [更多] | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE13 PWR-MOS
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 | NXP USA Inc. MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 75A（Tc） 187W（Tc） D2PAK 型号：PHB108NQ03LT,118 仓库库存编号：PHB108NQ03LT,118-ND 别名：934056956118 <br>PHB108NQ03LT /T3 <br>PHB108NQ03LT /T3-ND <br> | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 800 |
| 系列 ： | TrenchMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 6 毫欧 @ 25A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 16.3nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1375pF @ 12V |
| 功率 - 最大 ： | 187W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 供应商设备封装 ： | D2PAK |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
