型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
PEMB4,115 库存编号:86021943 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R | 28000 8288起订 | 8288+ | ¥0.61 | 1-2周 | 购买 |
PEMB4,115 库存编号:86021600 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R | 19990 8288起订 | 8288+ | ¥0.61 | 1-2周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
PEMB4,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | PEMB4115 NXP | 晶体管 PNP/PNP 50V 0.1A SOT666![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | Nexperia USA Inc. TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666 型号:PEMB4,115 仓库库存编号:PEMB4,115-ND 别名:934056865115 <br>PEMB4 T/R <br>PEMB4 T/R-ND <br> | 无铅 | 搜索 |
标准包装 : | 4,000 |
系列 : | - |
晶体管类型 : | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) : | 10K |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) : | - |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) : | 200 @ 1mA, 5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) : | 150mV @ 500µA, 10mA |
电流 - 集电极截止(最大) : | 1µA |
频率 - 转换 : | - |
功率 - 最大 : | 300mW |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | SOT-563, SOT-666 |
供应商设备封装 : | SOT-666 |
包装 : | 带卷 (TR) |