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PBLS1503V,115 [更多] | Nexperia | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRNS LDSWITCH TAPE-7 RoHS: Compliant | 搜索 |
PBLS1503V T/R [更多] | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRNS LDSWITCH TAPE-7 RoHS: Compliant | 搜索 |
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PBLS1503V,115 [更多] | Nexperia | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/15V 100mA/500mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R pbFree: Yes | 搜索 |
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PBLS1503V115 [更多] | NXP Semiconductors |
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
PBLS1503V,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT666 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | NXP USA Inc. TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 15V 100mA, 500mA 280MHz 300mW Surface Mount SOT-666 型号:PBLS1503V,115 仓库库存编号:568-7221-1-ND 别名:568-7221-1 <br> | 无铅 | 搜索 |
标准包装 : | 1 |
系列 : | - |
晶体管类型 : | 1 NPN 预偏压式,1 PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : | 100mA, 500mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : | 50V, 15V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) : | 10K |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) : | 10K |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) : | 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) : | 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA |
电流 - 集电极截止(最大) : | 1µA, 100nA |
频率 - 转换 : | 280MHz |
功率 - 最大 : | 300mW |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | SOT-563, SOT-666 |
供应商设备封装 : | SOT-666 |
包装 : | 剪切带 (CT) |