型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
NTD4960N-35G [更多] | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 30V 55A 8mOHM RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
NTD4960N-35G [更多] | ON Semiconductor |
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
NTD4960N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | NTD4960N-35G ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | NTD4960N-35G ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | NTD4960N-35G ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK 详细描述:通孔 N 沟道 30V 8.9A(Ta),55A(Tc) 1.07W(Ta),35.71W(Tc) I-Pak 型号:NTD4960N-35G 仓库库存编号:NTD4960N-35GOS-ND 别名:NTD4960N-35GOS <br> | 无铅 | 搜索 |
产品变化通告 : | Product Discontinuation 30/Sept/2011 |
产品目录绘图 : | TO-251-3 |
标准包装 : | 75 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 8.9A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 8 毫欧 @ 30A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 2.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 22nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 1300pF @ 15V |
功率 - 最大 : | 1.07W |
安装类型 : | 通孔 |
封装/外壳 : | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
供应商设备封装 : | I-Pak |
包装 : | 管件 |