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| IXFN50N80Q2 [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IXFN50N80Q2 [更多] | IXYS Corporation | Trans MOSFET N-CH 800V 50A 4-Pin SOT-227B RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IXFN50N80Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IXFN50N80Q2 IXYS | IXFN 系列 单通道 N 沟道 800 Vds 150 mOhm 890 W 功率 MOSFET - SOT-227B  | 查价格库存 查看详细 |
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| IXFN50N80Q2 IXYS | IXFN 系列 单通道 N 沟道 800 Vds 150 mOhm 890 W 功率 MOSFET - SOT-227B | 查价格库存 查看详细 |
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 | IXYS MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B 详细描述：底座安装 N 沟道 50A（Tc） 1135W（Tc） SOT-227B 型号：IXFN50N80Q2 仓库库存编号：IXFN50N80Q2-ND | | 搜索 |
PDF查询| 产品目录绘图 ： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装 ： | 10 |
| 系列 ： | HiPerFET™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 160 毫欧 @ 500mA, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 260nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 13500pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 890W |
| 安装类型 ： | 底座安装 |
| 封装/外壳 ： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装 ： | SOT-227B |
| 包装 ： | 管件 |
