| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IXFN50N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IXYS MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B 详细描述：底座安装 N 沟道 500V 50A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B 型号：IXFN50N50 仓库库存编号：IXFN50N50-ND | 无铅 | 搜索 |
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 | IXFN50N50 Ixys | MOSFET 50 Amps 500V 0.1 Rds  | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 10 |
| 系列 ： | HiPerFET™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 90 毫欧 @ 500mA, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 330nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 625W |
| 安装类型 ： | 底座安装 |
| 封装/外壳 ： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装 ： | SOT-227B |
| 包装 ： | 管件 |
