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IXFN38N80Q2 库存编号:747-IXFN38N80Q2 | IXYS Corporation | Discrete Semiconductor Modules 38 Amps 800V 0.22 Rds | 0 起订 | 6-10天 | 询价 |
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IXFN38N80Q2 [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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![]() | IXYS MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227 详细描述:底座安装 N 沟道 800V 38A(Tc) 735W(Tc) SOT-227B 型号:IXFN38N80Q2 仓库库存编号:IXFN38N80Q2-ND | 无铅 | 搜索 |
标准包装 : | 10 |
系列 : | HiPerFET™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 800V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 38A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 220 毫欧 @ 500mA, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4.5V @ 8mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 190nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 8340pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 735W |
安装类型 : | 底座安装 |
封装/外壳 : | SOT-227-4,miniBLOC |
供应商设备封装 : | SOT-227B |
包装 : | 管件 |