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| IXFN200N07 [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IXFN200N07 [更多] | IXYS Corporation | MOSFET 70V 200A RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IXFN200N07 [更多] | IXYS Corporation | Trans MOSFET N-CH Si 70V 180A 4-Pin SOT-227B RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
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| IXFN200N07 [更多] | IXYS Corporation | Trans MOSFET N-CH Si 70V 180A 4-Pin SOT-227B RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IXFN200N07 [更多] | IXYS Corporation | MOSFET, N, SOT-227B
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| IXFN200N07 | IXYS | MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IXFN200N07 IXYS | MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B  | 查价格库存 查看详细 |
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 | IXFN200N07 IXYS SEMICONDUCTOR | 场效应管 MOSFET N SOT-227B | 查价格库存 查看详细 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IXFN200N07 | 4905659 | IXYS SEMICONDUCTOR 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 200 A, 70 V, 6 mohm, 10 V, 4 V (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | Ixys MOSFET N, 70 V 200 A 520 W SOT-227B, IXFN200N07, Ixys 型号：IXFN200N07 仓库库存编号：171-31-361 | | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | IXYS MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B 详细描述：底座安装 N 沟道 200A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B 型号：IXFN200N07 仓库库存编号：IXFN200N07-ND | | 搜索 |
PDF查询| 产品目录绘图 ： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装 ： | 10 |
| 系列 ： | HiPerFET™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 70V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 200A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 6 毫欧 @ 500mA, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 480nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 9000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 520W |
| 安装类型 ： | 底座安装 |
| 封装/外壳 ： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装 ： | SOT-227B |
| 包装 ： | 管件 |
