型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRLU7807ZPBF | International Rectifier | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 30A I(D), 30V, 0.0138OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-251AA | 713 1起订 | 1+ 122+ 578+ | ¥13.58 ¥6.34 ¥5.66 | 1-3周 | 购买 |
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IRLU7807ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 43A 13.8mOhm 30V 7nC Qg log lvl RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRLU7807ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N Ch., 30V, 43A, 13.8 MOHM, 7 NC QG, I-PAK, Pb-Free RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRLU7807ZPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 43A I-PAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 43A I-PAK 详细描述:通孔 N 沟道 30V 43A(Tc) 40W(Tc) I-Pak 型号:IRLU7807ZPBF 仓库库存编号:IRLU7807ZPBF-ND 别名:*IRLU7807ZPBF <br>SP001568878 <br> | 无铅 | 搜索 |
产品目录绘图 : | IR Hexfet IPAK |
标准包装 : | 75 |
系列 : | HEXFET® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 43A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 13.8 毫欧 @ 15A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 2.25V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 11nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 780pF @ 15V |
功率 - 最大 : | 40W |
安装类型 : | 通孔 |
封装/外壳 : | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
供应商设备封装 : | I-Pak |
包装 : | 管件 |