型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRLR7843TRPBF 库存编号:IRLR7843PBFDKR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 161A DPAK | 15159 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ | ¥14.21 ¥10.17 ¥7.64 ¥6.41 ¥5.86 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
IRLR7843TRPBF 库存编号:IRLR7843PBFCT-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 161A DPAK | 15159 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ | ¥14.21 ¥10.17 ¥7.64 ¥6.41 ¥5.86 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
IRLR7843TRPBF 库存编号:IRLR7843PBFTR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 161A DPAK | 14000 2000起订 | 2000+ 4000+ 6000+ | ¥5.47 ¥5.32 ¥5.17 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
IRLR7843PBF 库存编号:IRLR7843PBF-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 161A DPAK | 0 2000起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRLR7843PBF | International Rectifier | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 30A I(D), 30V, 0.0033OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252AA | 520 1起订 | 1+ 17+ 148+ | ¥13.87 ¥6.24 ¥4.16 | 1-3周 | 购买 |
IRLR7843PBF | International Rectifier | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 30A I(D), 30V, 0.0033OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252AA | 360 1起订 | 1+ 155+ 333+ | ¥71.45 ¥33.05 ¥29.48 | 1-3周 | 购买 |
IRLR7843PBF | International Rectifier | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 30A I(D), 30V, 0.0033OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252AA | 7 1起订 | 1+ 2+ | ¥72.42 ¥54.32 | 1-3周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRLR7843PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 161A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
IRLR7843TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 161A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
IRLR7843TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 161A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
IRLR7843TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 161A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRLR7843PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRLR7843PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRLR7843PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Rail/Tube (Alt: IRLR7843PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRLR7843PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK (Alt: IRLR7843PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRLR7843PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK (Alt: IRLR7843PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRLR7843PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
| 搜索 |
IRLR7843PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRLR7843PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRLR7843PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, LOGIC, D-PAK
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRLR7843PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 30 V 3.3 mOhm 34 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-252AA RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRLR7843PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 2.6Milliohms, ID 161A, D-Pak (TO-252AA), VF 1V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRLR7843PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, logic level, 30V, 161A, 140W, DPAK
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRLR7843PBF [更多] | International Rectifier |
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRLR7843PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 161A DPAK | 查看库存、价格及货期 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号: IRLR7843PBF 品牌: Infineon 库存编号: 830-3388 | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
![]() | International Rectifier MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 2.6Milliohms; ID 161A; D-Pak (TO-252AA); VF 1V 型号:IRLR7843PBF 仓库库存编号:70017472 | ![]() | 搜索 |
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标准包装 : | 75 |
系列 : | HEXFET® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 161A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 3.3 毫欧 @ 15A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 2.3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 50nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 4380pF @ 15V |
功率 - 最大 : | 140W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
供应商设备封装 : | D-Pak |
包装 : | 管件 |