| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRL630STRLPBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRL630STRLPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRL630STRL [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS: Not compliant | 搜索 |
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| IRL630STRLPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRL630STRLPBF) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
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| IRL630STRLPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | IRL630S Series 200 V 9 A Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRL630STRLPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
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| IRL630STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK 型号：IRL630STRLPBF 仓库库存编号：IRL630STRLPBF-ND |  | 搜索 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 800 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 400 毫欧 @ 5.4A, 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 40nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1100pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 3.1W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 供应商设备封装 ： | D2PAK |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
