型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRL3716S 库存编号:IRL3716S-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK | 0 50起订 | 50+ | ¥35.19 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
IRL3716SPBF 库存编号:IRL3716SPBF-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK | 0 50起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
IRL3716STRLPBF 库存编号:IRL3716STRLPBF-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK | 0 50起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRL3716SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRL3716STRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 20V, 180A, 4 MOHM, 53 NC QG, LOGIC LEVEL, D2-PAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRL3716S | International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK 型号:IRL3716S 仓库库存编号:IRL3716S-ND 别名:*IRL3716S <br>Q1282555 <br> | 含铅 | 搜索 |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK 型号:IRL3716SPBF 仓库库存编号:IRL3716SPBF-ND 别名:SP001568304 <br> | 无铅 | 搜索 |
标准包装 : | 50 |
系列 : | HEXFET® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 180A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 4 毫欧 @ 90A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 79nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 5090pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 210W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
供应商设备封装 : | D2PAK |
包装 : | 管件 |