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分离式半导体 - IGBT - 单路 - International Rectifier - IRGS4B60KD1PBF - IGBT W/DIODE 600V 11A D2PAK
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IGBT 600V 11A 63W D2PAK

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IGBT Transistors 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRGS4B60KD1PBF)

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IRGS4B60KD1PBF
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 63000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 63000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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IRGS4B60KD1PBF.
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SINGLE IGBT, 600V, 11A

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IRGS4B60KD1PBF
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600V LOW-VCEON NON PUNCH THROUGH COPACKIGBT IN A D2-PAK PACKAGE

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IRGS4B60KD1PBF
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IRGS4B60KD1PBF
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Transistor: IGBT, 600V, 12A, 63W, D2PAK

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IRGS4B60KD1PBF.
INFINEON IRGS4B60KD1PBF.		2135372

INFINEON

晶体管, IGBT, 600V, 11A

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IRGS4B60KD1PBF|International RectifierIRGS4B60KD1PBF
International Rectifier		IGBT W/DIODE 600V 11A D2PAK
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IRGS4B60KD1PBF|International Rectifier
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IRGS4B60KD1PBF
制造商型号： IRGS4B60KD1PBF
制造商： International Rectifier
描述： IGBT W/DIODE 600V 11A D2PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 ： 50
系列 ： -
IGBT 类型 ： NPT
电压 - 集电极发射极击穿（最大） ： 600V
Vge, Ic时的最大Vce（开） ： 2.5V @ 15V, 4A
电流 - 集电极 (Ic)（最大） ： 11A
功率 - 最大 ： 63W
输入类型 ： 标准型
安装类型 ： 表面贴装
封装/外壳 ： TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
供应商设备封装 ： D2PAK
包装 ： 管件

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